K
Kaikoala
Forum Benutzer
Hallo,
ich möchte in mein Notebook mehr Arbeitspeicher einbauen.
Ich weiß dass ich max. 2048 einbauen kann.
Momentan hab ich 1024 (2x512).
1. Ist es besser einmal 2048 einzubauen oder lieber 2x1024?
2. Woher weiss ich ob ich auch 800mhz speicher einbauen kann?
Das hier sagt Everest über mein Notebook:
Motherboard:
CPU Typ Mobile DualCore Intel Pentium M, 2000 MHz
(15 x 133)
Motherboard Name Unbekannt
Motherboard Chipsatz Intel Calistoga i945GM/PM
Arbeitsspeicher 1014 MB (DDR2-667 DDR2 SDRAM)
BIOS Typ Phoenix (04/30/07)
Motherboard Eigenschaften:
Hersteller LENOVO
Produkt CAPELL VALLEY(NAPA) CRB
Version Not Applicable
Seriennummer 41W8025Z1ZCZ976E6C5
Cache Eigenschaften:
Typ Intern
Status Aktiviert
Betriebmodus Write-Back
Maximale Größe 32 KB
Installierte Größe 32 KB
Unterstützter SRAM Typ Asynchronous, Burst, Pipeline Burst
Aktueller SRAM Typ Asynchronous
Sockelbezeichnung L1 Cache
[ Cache / L2 Cache ]
Cache Eigenschaften:
Typ Extern
Status Aktiviert
Betriebmodus Write-Back
Maximale Größe 2048 KB
Installierte Größe 2048 KB
Unterstützter SRAM Typ Asynchronous, Burst, Pipeline Burst
Aktueller SRAM Typ Burst
Sockelbezeichnung L2 Cache
[ Speichergeräte / M1 ]
Speicher Eigenschaften:
Bauform (Form Factor) SODIMM
Details Synchronous
Größe 512 MB
Gesamtbreite 32 Bit
Datenbreite 32 Bit
Geräteort M1
Bankort Bank 0
[ Speichergeräte / M2 ]
Speicher Eigenschaften:
Bauform (Form Factor) SODIMM
Details Synchronous
Größe 512 MB
Gesamtbreite 32 Bit
Datenbreite 32 Bit
Geräteort M2
Bankort Bank 1
[ DIMM1: 64T64020HDL3SB ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname 64T64020HDL3SB
Seriennummer 2A1A0425h
Herstellungsdatum Woche 33 / 2007
Modulgröße 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR2 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR2-667 (333 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 1.8
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 333 MHz 5.0-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 266 MHz 4.0-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 MHz 3.0-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Unterstützt
Auto-Precharge Unterstützt
Precharge All Unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Nicht unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
[ DIMM3: 64T64020HDL3SB ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname 64T64020HDL3SB
Seriennummer 05092227h
Herstellungsdatum Woche 6 / 2007
Modulgröße 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR2 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR2-667 (333 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 1.8
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 333 MHz 5.0-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 266 MHz 4.0-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 MHz 3.0-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Unterstützt
Auto-Precharge Unterstützt
Precharge All Unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Nicht unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Wenn ijr mehr infos braucht dann sagt einfach bescheid.
Danke für eure Mühen.
Kai
ich möchte in mein Notebook mehr Arbeitspeicher einbauen.
Ich weiß dass ich max. 2048 einbauen kann.
Momentan hab ich 1024 (2x512).
1. Ist es besser einmal 2048 einzubauen oder lieber 2x1024?
2. Woher weiss ich ob ich auch 800mhz speicher einbauen kann?
Das hier sagt Everest über mein Notebook:
Motherboard:
CPU Typ Mobile DualCore Intel Pentium M, 2000 MHz
(15 x 133)
Motherboard Name Unbekannt
Motherboard Chipsatz Intel Calistoga i945GM/PM
Arbeitsspeicher 1014 MB (DDR2-667 DDR2 SDRAM)
BIOS Typ Phoenix (04/30/07)
Motherboard Eigenschaften:
Hersteller LENOVO
Produkt CAPELL VALLEY(NAPA) CRB
Version Not Applicable
Seriennummer 41W8025Z1ZCZ976E6C5
Cache Eigenschaften:
Typ Intern
Status Aktiviert
Betriebmodus Write-Back
Maximale Größe 32 KB
Installierte Größe 32 KB
Unterstützter SRAM Typ Asynchronous, Burst, Pipeline Burst
Aktueller SRAM Typ Asynchronous
Sockelbezeichnung L1 Cache
[ Cache / L2 Cache ]
Cache Eigenschaften:
Typ Extern
Status Aktiviert
Betriebmodus Write-Back
Maximale Größe 2048 KB
Installierte Größe 2048 KB
Unterstützter SRAM Typ Asynchronous, Burst, Pipeline Burst
Aktueller SRAM Typ Burst
Sockelbezeichnung L2 Cache
[ Speichergeräte / M1 ]
Speicher Eigenschaften:
Bauform (Form Factor) SODIMM
Details Synchronous
Größe 512 MB
Gesamtbreite 32 Bit
Datenbreite 32 Bit
Geräteort M1
Bankort Bank 0
[ Speichergeräte / M2 ]
Speicher Eigenschaften:
Bauform (Form Factor) SODIMM
Details Synchronous
Größe 512 MB
Gesamtbreite 32 Bit
Datenbreite 32 Bit
Geräteort M2
Bankort Bank 1
[ DIMM1: 64T64020HDL3SB ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname 64T64020HDL3SB
Seriennummer 2A1A0425h
Herstellungsdatum Woche 33 / 2007
Modulgröße 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR2 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR2-667 (333 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 1.8
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 333 MHz 5.0-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 266 MHz 4.0-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 MHz 3.0-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Unterstützt
Auto-Precharge Unterstützt
Precharge All Unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Nicht unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
[ DIMM3: 64T64020HDL3SB ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname 64T64020HDL3SB
Seriennummer 05092227h
Herstellungsdatum Woche 6 / 2007
Modulgröße 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR2 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR2-667 (333 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 1.8
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 333 MHz 5.0-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 266 MHz 4.0-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 MHz 3.0-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Unterstützt
Auto-Precharge Unterstützt
Precharge All Unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Nicht unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Wenn ijr mehr infos braucht dann sagt einfach bescheid.
Danke für eure Mühen.
Kai